磁电存储和磁光电存储是两种不同的存储技术，它们在工作原理和适用领域上有所不同。

磁电存储（Magnetic Random Access Memory, MRAM）是一种非易失性存储技术，利用磁性材料中的磁性性质来存储数据。

工作原理：磁电存储利用磁随机访问存储器单元中的磁性材料的磁性反转来表示数据的0和1状态。它使用磁隧道结构，通过电流在磁性层中产生足够大的磁场，以改变磁性材料的磁性方向。

特点：

1. 非易失性：磁电存储器具有非易失性，即在断电后仍然能够保持数据，不需要周期性地刷新数据。

2. 读写速度快：磁电存储器的读写速度较快，与传统硬盘驱动器相比，具有更低的访问延迟。

3. 长寿命：磁电存储器的寿命较长，可以承受大量的读写操作。

磁光电存储（Magneto-Optical Storage, MO）是一种利用光学和磁学原理来存储数据的技术。

工作原理：磁光存储利用激光器发射的激光束对磁性材料表面进行热处理，使其在磁场的作用下发生磁性翻转，并通过检测光束的偏振状态来读取数据。

特点：

1. 高密度存储：磁光存储器可以实现较高的存储密度，使其在一些需要大容量存储的应用中具有优势。

2. 长久保存：磁光存储器存储的数据具有较长的保存时间，并且可以多次擦写和重写数据。

3. 较慢的读写速度：磁光存储器的读写速度相对较慢，尤其是与现代固态存储器相比，有一定的延迟。

总体来说，磁电存储器适用于需要快速读写和长时间保存数据的应用，而磁光存储器适用于需要高密度存储和稳定长久保存数据的应用。